Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства первой в отрасли памяти LPDDR4X DRAM класса 10 нм (1у-нм) ёмкостью 16 гигабит (Гб). Модули разработаны для повышения эффективности и снижения уровня разрядки аккумуляторов современных смартфонов и других мобильных решений.
С новым решением Samsung расширила линейку DRAM более чем на 70% благодаря модулям на базе 1у-нм техпроцесса. Ультратонкий пакет ёмкостью 8 гигабайт (ГБ) обеспечивает сокращение толщины конструкции, что будет актуально для мобильных устройств следующего поколения.
По сравнению с чипами памяти DRAM для мобильных устройств, которые чаще всего используются в современных флагманских моделях (1x-нм LPDDR4X ёмкостью 16 Гб), LPDDR4X DRAM второго поколения обеспечивает снижение энергопотребления на 10% при сохранении аналогичной скорости передачи данных на уровне 4266 мегабит в секунду (Mб/с). LPDDR4X расшифровывается как Low Power, Double Data Rate, 4X – низкое энергопотребление, двойная ёмкость, скорость в 4 раза выше, чем у стандартных решений.
«Приход мобильных DRAM класса 10 нм позволит значительно расширить ассортимент решений для мобильных устройств следующего поколения, которые должны впервые появиться на рынке в конце этого года или в первой половине 2019 года, - сказал Сьюон Чун, старший вице-президент подразделения продаж и маркетинга памяти компании Samsung Electronics. - Мы будем продолжать расширять линейку DRAM премиум-класса, чтобы возглавить сегмент памяти с высокой производительностью, высокой ёмкостью и низким энергопотреблением, удовлетворить рыночный спрос и укрепить нашу конкурентоспособность в бизнесе».
Samsung будет расширять линейку премиум-класса DRAM на базе 1у-нм техпроцесса. Инициатива началась с запуска массового производства первого в мире чипа серверной DRAM DDR4 класса 10 нм ёмкостью 8 Гб в ноябре прошлого года и была продолжена новым чипом LPDDR4X ёмкостью 16 Гб для мобильных систем всего восемь месяцев спустя.
Samsung заявила, что она создала мобильный DRAM-пакет LPDDR4X ёмкостью 8 ГБ, объединив четыре 16-гигабитных чипа LPDDR4X класса 10 нм (16 Гб = 2 ГБ). Этот четырехканальный пакет может обеспечить скорость передачи данных на уровне 34,1 ГБ в секунду, а его толщина более чем на 20% меньше по сравнению с пакетом первого поколения. Это позволяет OEM-производителям разрабатывать более тонкие, но более эффективные мобильные устройства.
Благодаря достижениям в области LPDDR4X компания Samsung будет быстро расширять свою долю мобильной DRAM на рынке, предоставляя разнообразные продукты большой емкости, в том числе LPDDR4X-пакеты ёмкостью 4, 6 и 8 ГБ.
Для развертывания массового производства LPDDR4X класса 10 нм компания Samsung начала эксплуатацию новой производственной линии DRAM в Пхёнтхэке (Южная Корея). Это обеспечит стабильную поставку всех мобильных чипов DRAM в ответ на растущий спрос.
