Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила об успешном создании первых в отрасли 10-нанометровых 8-гигабитных модулей LPDDR5 DRAM. С тех пор, как в 2014 году были запущены в массовое производство первые LPGDR4 LPGDR4, Samsung установила этап перехода на стандарт LPDDR5 для использования в мобильных приложениях с 5G и искусственным интеллектом в будущем.
Недавно разработанные 8-гигабитные модули LPDDR5 – новейшее пополнение в линейке памяти премиум-класса DRAM от Samsung. Она уже включает 10-нм 16-гигабитные модули GDDR6 DRAM (массовое производство налажено в декабре 2017 года) и 16-гигабитные DDR5 DRAM (представлены в феврале).
«Эта разработка 8-гигабитных LPDDR5 представляет собой важный шаг вперед в отношении решений для мобильной памяти с низким энергопотреблением, - сказал Цзиньман Хан, старший вице-президент по планированию и разработке решений памяти Samsung Electronics. - Мы продолжим расширять линейку DRAM класса 10 нм следующего поколения, поскольку мы ускоряем переход к более широкому использованию премиальной памяти в глобальном ландшафте».
8-гигабитные модули LPDDR5 имеет скорость передачи данных до 6400 мегабит в секунду (Мбит/с). Это в 1,5 раза выше, чем у мобильных чипов DRAM, которые устанавливают в современных флагманских мобильных устройствах (LPDDR4X, 4266 Мбит/с). За счет увеличенной скорости передачи данных новые модули LPDDR5 могут отправить 51,2 гигабайта (ГБ) информации или приблизительно 14 видеофайлов в формате FullHD (по 3.7 ГБ каждый) за одну секунду.
Модули LPDDR5 DRAM класса 10 нм будут доступны в двух вариантах – в зависимости от пропускной способности: 6,400 Мбит/с при рабочем напряжении 1.1 В и 5 500 Мбит/с при 1,05 В. Это делает новые модули самым универсальным решением в сфере мобильной памяти для смартфонов следующего поколения и автомобильных систем.
Повышение производительности стало возможным благодаря нескольким архитектурным усовершенствованиям. За счет увеличения количества «банков» памяти (отделений в ячейке DRAM) с 8 до 16 новые модули могут достигать гораздо более высокой скорости при одновременном снижении энергопотребления. В 8-гигабитных LPDDR5 также используется высокоразвитая, оптимизированная по скорости архитектура схем, которая обеспечивает контроль и сверхвысокую производительность чипа.
Чтобы обеспечить максимально возможную экономию энергии, модули LPDDR5 класса 10 нм спроектированы особым образом. Напряжение модулей понижается в соответствии с рабочей скоростью соответствующего процессора приложений в активном режиме. Решение также настроено таким образом, чтобы избежать перезаписи ячеек со значениями «0». Кроме того, новый чип LPDDR5 поддерживает «глубокий режим сна», который сокращает потребление энергии примерно вдвое в сравнении с «режимом ожидания» у существующих модулей LPDDR4X DRAM. Благодаря этим функциям 8-гигабитные модули LPDDR5 DRAM обеспечат снижение потребления энергии до 30%, повышая производительность мобильных устройств и увеличивая время автономной работы смартфонов.
Благодаря наибольшей в отрасли пропускной способности и энергоэффективности модули LPDDR5 смогут использовать приложения для работы с искусственным интеллектом и машинным обучением и будут совместимы с мобильными устройствами UHD-класса по всему миру.
Samsung совместно с ведущими мировыми производителями чипов завершила функциональное тестирование и проверку прототипа LPDDR5 DRAM-пакета ёмкостью 8 ГБ, который состоит из восьми 8-гигабитных LPDDR5-чипов. Используя современную производственную инфраструктуру в Пхентаке (Южная Корея) для выпуска новейших модулей, Samsung планирует в ближайшее время начать массовое производство линейки DRAM следующего поколения (LPDDR5, DDR5 и GDDR6) в соответствии с требованиями глобальных клиентов.
