Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых полупроводниковых технологий, объявила о том, что разработанный ее инженерами 10-нанометровый техпроцесс FinFET второго поколения, 10LPP (Low Power Plus), прошел процедуру квалификации и уже готов к запуску в производство. С дальнейшим улучшением в 3D-структуре FinFET-полупроводников 10LPP позволяет на 10% повысить производительность или на 15% снизить энергопотребление по сравнению с первым поколением, 10LPE (Low-Power Early), при той же области масштабирования.

Компания Samsung первой в отрасли начала массовое производство систем-на-чипе (SoC) на базе техпроцесса 10LPE в октябре прошлого года. В новейших смартфонах Samsung Galaxy S8 используются именно такие чипсеты.

Чтобы удовлетворить долгосрочный спрос на продукты, созданные по 10-нм техпроцессу, со стороны широкого круга клиентов, Samsung приступила к монтажу производственного оборудования на новейшей линии S3 в Хвасоне (Южная Корея). Ожидается, что линия S3 будет готова к запуску производства в четвертом квартале этого года.

«Опираясь на наш успешный опыт производства по 10LPE, мы начали производство по 10LPP, чтобы сохранить лидерство на рынке продвинутых полупроводниковых узлов, - сказал Райан Ли, вице-президент по маркетингу полупроводниковых решений Samsung Electronics. - 10LPP будет одним из наших ключевых предложений для высокопроизводительных мобильных, вычислительных и сетевых приложений, и Samsung продолжит предлагать самые передовые технологии для логических процессов».