Samsung запустила производство самой быстрой в мире оперативной памяти
25 января 2016
Компания Samsung объявила о запуске производства самой быстрой оперативной памяти в мире. В основе модулей – новейший интерфейс HBM2 (вторая версия High Bandwidth Memory - памяти с высокой пропускной способностью).
Память будущего – для новейших IT-систем
Новые модули памяти Samsung с высокой пропускной способностью обеспечивают беспрецедентную продуктивность. Скорость их работы более чем в семь раз выше достигнутого ранее предела производительности, и это дает более быструю реакцию при решении сложных задач, включая параллельные вычисления, рендеринг графики и машинное обучение.
Первые модули нового типа, выпущенные Samsung, обладают емкостью 4 ГБ. Предназначены они для установки в высокопроизводительных компьютерных решениях, продвинутых графических и сетевых системах, а также серверах предприятий.
Сивон Чан, главный вице-президент подразделения маркетинга памяти компании Samsung Electronics, отмечает: «За счет массового производства оперативной памяти нового поколения с интерфейсом HBM2 мы можем содействовать более быстрому внедрению высокопроизводительных вычислительных систем нового поколения, создаваемых глобальными IT-компаниями. Кроме того, благодаря использованию технологии 3D-памяти здесь мы способны более активно удовлетворять многогранные потребности мирового IT и в то же время укреплять фундамент для будущего роста рынка оперативной памяти».
Новые модули оперативной памяти емкостью 4 ГБ с интерфейсом HBM2, созданные на базе наиболее эффективного 20-нанометрового техпроцесса Samsung и передового дизайна чипов памяти с высокой пропускной способностью, соответствуют требованиям высокой производительности, энергоэффективности, надежности. Кроме того, они обладают компактными размерами, за счет чего отлично подходят для высокопроизводительных вычислительных систем следующего поколения и видеокарт.
Собственный рекорд побит
В октябре 2015 года компания Samsung представила регистровые двойные модули оперативной памяти DDR4 емкостью 128 ГБ, которые были созданы на базе 3D TSV. Память с интерфейсом HBM2 является новейшей вехой развитии этой технологии.
Напомним, TSV, что расшифровывается как Through silicon via – переходные отверстия в кремнии, является передовой технологией упаковки чипов и предполагает, что матрицы чипов оперативной памяти толщиной в несколько микрон соединяются электродами, вертикально проникающими сквозь микроскопические отверстия в них.
Модули оперативной памяти емкостью 4 ГБ с интерфейсом HBM2 были созданы путем укладки матрицы-буфера внизу и четырех 8-гигабитных матриц-ядер поверх него. Затем матрицы были соединены вертикально через переходные микроотверстия в кремнии.
Одна матрица HBM2-памяти емкостью 8 гигабит включает более 5000 таких отверстий, что почти в 36 раз больше, чем в 8-гигабитных матрицах типа 3D TSV для модулей памяти DDR4. В результате было достигнуто значительное улучшение в производительности передачи данных по сравнению с обычными пакетами, в которых матрицы были скреплены традиционным способом – с помощью проводов.
Ключевые преимущества
Новые модули памяти Samsung обладают пропускной способностью на уровне 256 ГБ/с, что в два раза выше, чем у комплектующих с интерфейсом HBM1 (HBM первого поколения), и примерно в семь раз больше, чем пропускная способность модулей оперативной памяти GDDR5 емкостью 4 ГБ (36 ГБ/с). Последние, к слову, имели наиболее высокую скорость передачи данных в пересчете на контакт (9 Гбитс/с) среди всех производимых в мире чипов оперативной памяти.
Модули оперативной памяти Samsung емкостью 4 ГБ, имеющие интерфейс HBM2, также обладают улучшенной энергоэффективностью: их пропускная способность в пересчете на 1 Вт энергии вдвое выше, чем у решений на базе модулей оперативной памяти GDDR5 емкостью 4 ГБ. Новые комплектующие Samsung также имеют встроенные функции ECC (код коррекции ошибок) для обеспечения высокой надежности.
Вдохновляющие перспективы
Компания Samsung планирует выпустить модули оперативной памяти с интерфейсом HBM2 емкостью 8 ГБ уже в этом году. Выбрав эти комплектующие для создания видеокарт, разработчики получат возможность насладиться экономией до 95% места по сравнению с использованием модулей оперативной памяти GDDR5.
Таким образом, новые модули оперативной памяти Samsung идеально подходят для создания компактных устройств, от которых требуется высокий уровень вычислительной мощности при обработке графики. Компания будет неуклонно наращивать объемы производства оперативной памяти с интерфейсом в течение оставшейся части года, чтобы удовлетворить ожидаемый рост спроса на эти комплектующие на рынке для использования в сетевых системах и серверах.
Samsung также будет расширять свою линейку моделей оперативной памяти с интерфейсом HBM2, чтобы оставаться лидером рынка решений для высокопроизводительных вычислений и укреплять свои позиции в сфере создания памяти премиум-уровня.
Свежие новости
Нам исполнилось 12 лет!
18 апреля
