Компания Samsung Electronics объявила о том, что первой в индустрии выпустила модули памяти LPDDR4 объемом 8 ГБ для мобильных устройств. Они отличаются низким энергопотреблением и имеют удвоенную скорость передачи данных. Применение модулей памяти обеспечит невероятный опыт использования мобильных устройств, особенно моделей с большими экранами и поддержкой разрешения Ultra HD. В состав модулей памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ входит четыре новейших 16-гигабитных чипа памяти, изготовлены они с применением передового 10-нанометрового техпроцесса.
«Появление нашего мощного решения, 8 ГБ мобильной памяти DRAM, позволит [разрабатывать] флагманские мобильные устройства следующего поколения, которые обладают более высокими способностями, по всему миру, - отмечает Джу Сан Чой, исполнительный вице-президент подразделения продаж и маркетинга решений памяти компании Samsung Electronics. – Мы продолжим предоставлять продвинутые решения в сфере памяти, предлагая самые высокие значения [технических характеристик] и передовые преимущества для удовлетворения растущих потребностей устройств, которые включают двойную камеру, поддержку 4K UHD и виртуальной реальности».
Новые модули LPDDR4 объемом 8 ГБ работают на частоте до 4 266 мегабит в секунду (Мбит/с), и это вдвое быстрее, чем DDR4 DRAM для ПК, которые обычно работают на частоте 2 133 Мбит/с на контакт. Предполагая, что ширина шины данных составляет 64 бит (х64), эта скорость соответствует передаче данных на скорости 34 Гб/с.
Хотя многие высококлассные ультратонкие ПК сейчас используют модули DRAM объемом 8 ГБ, новые модули Samsung LPDDR4 того же объема позволят другим мобильным устройствам нового поколения в полной мере воспользоваться их чрезвычайно высокой пропускной способностью. К примеру, установка в планшеты модулей LPDDR4 емкостью 8 ГБ даст возможность поддерживать работу виртуальных машин – эмуляторов компьютерных систем, которые обладают функциональностью физического компьютера и позволяют запускать на одном ПК несколько операционных систем со своим набором ресурсов. Кроме того, модули памяти обеспечат более гладкое воспроизведение 4K UHD-видео, а это известная и востребованная особенность многих ПК премиум-уровня.
Модули памяти Samsung LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ обладают более высокой эффективностью в сравнении с предшественниками благодаря использованию новейшего техпроцесса класса 10 нм (размер затвора транзистора от 10 до 20 нм) и оригинальной схемотехнике Samsung с низким энергопотреблением. Такая конструкция микросхем позволяет «удвоить» емкость фирменных 20-нм (с затвором размером от 20 до 30 нм) модулей памяти DRAM емкостью 4 ГБ, потребляя при этом примерно такое же количество энергии.
Габариты модулей памяти LPDDR4 объемом 8 ГБ составляют менее 15х15х0,1 мм, что удовлетворяет требованиям относительно занимаемого пространства для большинства новейших ультратонких мобильных устройств. Использование DRAM тоньше 0,1 мм позволяет укладывать модули вместе с UFS-памятью или прикладными мобильными процессорами, в зависимости от предпочтений производителя, что позволит сэкономить ещё больше места на печатной плате.
В августе прошлого года Samsung представила первые в индустрии 20-нанометровые чипы LPDDR4 DRAM объемом 12 гигабит. Спустя всего 14 месяцев, в течение которых велась активная разработка новых решений, производитель представил первые 16-гигабитные чипы LPDDR4 DRAM и пакетное решение - LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ. Оно призвано ускорить запуск нового поколения мобильных устройств с ещё более высокой производительностью.
Samsung продолжит быстро расширять производство своих DRAM-продуктов на основе техпроцесса класса 10 нм. Компания занимается выпуском таких модулей на передовых производственных линиях и планирует реализовать 10-нм процессорную технологию на других фабриках в ближайшем будущем, чтобы удовлетворить растущие требования рынка в передовых мобильных модулях DRAM высокой плотности.
