Скидка 3% при онлайн оплате
Корзина
Профиль
Избранное
Корзина
  • Главная
  • Новости
  • Samsung увеличивает производство самой быстрой в отрасли памяти DRAM HBM2
Samsung увеличивает производство самой быстрой в отрасли памяти DRAM HBM2
19 июля 2017

В ответ на растущий спрос на скоростную оперативную память компания Samsung Electronics, мировой лидер в сфере передовых технологий производства памяти, расширяет производство модулей HBM2 ёмкостью 8 ГБ. Пропускная способность памяти DRAM HBM2 достигает 256 ГБ/с. Её использование обеспечит наилучшие результаты для большинства высокопроизводительных приложений с интенсивным использованием данных.


HBM2 (High Bandwidth Memory-2) – второе поколение модулей памяти, которое отличается увеличенной пропускной способностью. Такие носители актуальны для реализации широкого спектра приложений в различных областях, включая искусственный интеллект, высокопроизводительные вычисления (HPC), передовую графику, сетевые системы и корпоративные серверы.

«Увеличивая выпуск единственного в отрасли решения HBM2 ёмкостью 8 ГБ, доступного сейчас, мы стремимся сделать так, чтобы производители глобальных ИТ-систем имели достаточные ресурсы для своевременной разработки новых и модернизированных систем, - сказал Джешу Хан, исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу памяти компании Samsung Electronics. - Мы продолжим предоставлять более продвинутые линейки HBM2, тесно сотрудничая с нашими глобальными ИТ-клиентами».

Модули памяти Samsung HBM2 ёмкостью 8 ГБ обеспечивают высочайший уровень производительности, надежности и энергоэффективности в отрасли, подчеркивая приверженность компании инновациям в сфере производства DRAM. В создании модулей памяти использованы технологии HBM2 и TSV (Through Silicon Via) и другие перспективные решения. Более 850 из них были представлены для получения патентов или уже запатентованы.

8-гигабайтный модуль HBM2 состоит из восьми 8-гигабитных HBM2-матриц и буферной матрицы в нижней части стека. Все они вертикально связаны между собой TSV и микроскопическими выпуклостями. Каждая матрица содержит более 5000 TSV. Таким образом, один модуль Samsung HBM2 ёмкостью 8 ГБ включает свыше 40 000 TSV.

Использование большого количества TSV обеспечивает высокую производительность. Такое решение позволяет переключать пути передачи данных на разные TSV, когда происходит задержка. HBM2 также обеспечивает предотвращение перегрева, чтобы гарантировать высокую надежность аппаратного обеспечения.

Впервые представленная в июне 2016 года память формата HBM2 имеет пропускную способность передачи данных 256 ГБ/с, что даёт более чем восьмикратное увеличение скорости передачи данных по сравнению с памятью формата GDRDR5 DRAM, обладающей пропускной способностью на уровне32 ГБ/с. Благодаря вдвое большей ёмкости в сравнении с предшественниками 8-гигабайтное решение способствует значительному повышению производительности системы и росту её энергоэффективности. Оно позволяет максимально эффективно провести обновление аппаратного обеспечения для высокопроизводительных вычислительных приложений, требующих интенсивного использования данных, в частности, для систем, которые занимаются машинным обучением, параллельными вычислениями и графикой.

Samsung ожидает, что объем производства HBM2 ёмкостью 8 ГБ будет покрывать более 50% мирового производства HBM2 в первой половине следующего года. Такие требования сегодня диктует рынок.

Подпишитесь и будьте в курсе
Подписывайтесь на уведомления прямо сейчас!
Москва и область
Преимущества
Вернуться в меню
Блог
Вернуться в меню
Программа привилегий
Вернуться в меню
Вакансии
Вернуться в меню