Samsung Electronics, мировой лидер в области разработки передовых технологий памяти, объявила о создании новых решений и технологий памяти V-NAND (NAND с вертикальным расположением ячеек), которые отвечают насущным требованиям систем следующего поколения для обработки и хранения данных. За счёт стремительного роста количества и сложности приложений с интенсивным использованием данных во многих отраслях, где применяются технологии искусственного интеллекта и интернета вещей (IoT), роль флэш-памяти стала чрезвычайно важной. Ведь именно характеристики флеш-памяти определяют скорость извлечения информации для её анализа в реальном времени.
На открытии Samsung Tech Day в этом году, а также в рамках саммита Flash Memory Summit компания Samsung продемонстрировала решения следующего поколения для решения задач обработки данных. Системы, ориентированные на внедрение новейшей технологию V-NAND и использование массивов твердотельных накопителей, теперь в авангарде отрасли. Они позволяют решать наиболее актуальные задачи дня сегодняшнего, такие как высокопроизводительные вычисления, машинное обучение, аналитика в реальном времени и параллельные вычисления.
Samsung Tech Day, состоявшийся в штаб-квартире Samsung Silicon Valley 7 августа, продемонстрировал концепцию «Samsung @ Сердце хранилища». В рамках мероприятия гости ознакомились с планами компании по разработке и запуску на рынок ИТ-продуктов, которые поддерживают интенсивное развитие технологий «больших данных», дают более широкий доступ к массивным данным в режиме реального времени, а также обеспечивают возможность максимально быстрого доступа к информации. В мероприятии приняли участие топ-менеджеры компании, клиенты и аналитики рынка. Для них Samsung продемонстрировала демо-версии продуктов в комплексной экосистеме продуктов компании.
Саммит, посвящённый технологиям и проблемам при работе с флэш-памятью Flash Memory Summit (FMS), был организованн Conference ConCepts. Его цель – представление основных приложений, ключевых технологий и ведущих поставщиков, которые определяют развитие многомиллиардного рынка энергонезависимой памяти и твердотельных жестких дисков. FMS является крупнейшим в мире мероприятием, на котором презентуют тенденции, инновации и ключевые факторы, влияющие на использование флэш-памяти в сложных корпоративных приложениях хранения данных, а также в смартфонах, планшетах, мобильных и встроенных системах. Для получения дополнительной информации о саммите посетите сайт www.flashmemorysummit.com.
«Наши новые, передовые технологии V-NAND будут предоставлять более интеллектуальные решения для достижения дополнительной ценности, обеспечивая высокую скорость обработки данных, повышая масштабируемость системы и [гарантируя] сверхнизкую задержку для самых требовательных облачных приложений на сегодняшний день, - сказал Гайон Джин, исполнительный вице-президент и руководитель отдела памяти в Samsung Electronics. - Мы продолжим стремиться быть в авангарде инноваций благодаря использованию нашего опыта в области усовершенствованной технологии памяти 3D-NAND, чтобы значительно улучшить способ обработки данных, богатых информацией».
Samsung – вестник эры терабитных чипов V-NAND
Samsung анонсировала чипы V-NAND ёмкостью 1 ТБ, которые, как ожидается, будут доступны в следующем году. Впервые о них заговорили ещё в 2013 году, во время презентации первой в отрасли линейки памяти 3D-NAND. Сейчас компания Samsung работает над тем, чтобы позволить своим основным технологиям памяти реализовать один терабит емкости на одном чипе с использованием структуры V-NAND.
Появление чипа V-NAND ёмкостью 1 ТБ в следующем году позволит использовать 2 ТБ памяти в одном пакете V-NAND, уложив шестнадцать терабайтных слоёв. Это станет одним из самых важных достижений в области памяти за последнее десятилетие.
NGSFF (Next Generation Small Form Factor – мелкий форм-фактор следующего поколения) для повышения емкости хранилища и IOPS
Samsung создала первый в отрасли 16-терабайтный твердотельный накопитель NGSFF, который значительно повысит емкость систем памяти и увеличит IOPS (количество операций ввода-вывода в секунду) для современных серверов для стоек формата 1U. Samsung NGSFF SSD позволит центрам обработки данных существенно улучшить возможности использования и масштабирования пространства. Размеры накопителя – 30,5 мм x 110 мм x 4,38 мм.
Использование новых накопителей формата NGSFF вместо дисков M.2 на серверах стандарта 1U может увеличить емкость системы в четыре раза. Чтобы подчеркнуть преимущества инновационного решения, Samsung продемонстрировала эталонную серверную систему, которая обеспечивает 576 ТБ места в стойке 1U, используя 36 16-террабайтных твердотельных накопителей формата NGSFF. Эталонная система стандарта 1U может обрабатывать около 10 миллионов операций случайного считывания IOPS, что втрое повышает IOPS-производительность сервера стандарта 1U, оснащенного 2,5-дюймовыми твердотельными накопителями. Емкость в 1 петабайт может быть достигнута с использованием всего двух систем ёмкостью 576 ТБ каждая.
Samsung планирует начать массовое производство своих первых твердотельных накопителей NGSFF в четвертом квартале этого года. Параллельно компания работает над стандартизацией форм-фактора с совместно отраслевыми партнерами.
Z-SSD: оптимизирован для систем, требующих быстрой реакции памяти
В прошлом году компания Samsung реализовала технологию Z-SSD для твердотельных жестких дисков. На днях производитель представил свой первый продукт на базе технологии Z-SSD – твердотельный накопитель SZ985.
Обладая сверхнизкой задержкой чтения и высокой производительностью, Z-SSD SZ985 и его последователи будут использоваться в центрах обработки данных и корпоративных системах, занимающихся решением чрезвычайно больших задач, требующих значительных ресурсов. Это, к примеру, аналитика «больших данных» в реальном времени и высокопроизводительное кэширование серверов. Samsung сотрудничает с несколькими своими клиентами по интеграции Z-SSD в разрабатываемые приложения.
Samsung SZ985 обладает временем задержки чтения всего в 15 микросекунд, что составляет примерно седьмую часть от задержки чтения у твердотельных жестких дисков стандарта NVMe. NVMe (NVM Express) - это высокопроизводительный масштабируемый интерфейс хост-контроллера для энергонезависимой памяти, который имеет оптимизированный набор регистров и команд для корпоративных и клиентских систем с использованием твердотельных жестких дисков PCIe. Больше информации об интерфейсе вы найдёте на сайте www.nvmexpress.org.
На уровне приложений использование Z-SSD от Samsung может сократить время отклика системы до 12 раз по сравнению с использованием твердотельных накопителей NVMe. Благодаря минимальному времени отклика новый твердотельный жесткий диск Z-SSD будет играть ключевую роль в устранении узких мест в хранении данных на предприятиях и обеспечит повышение общей стоимости владения (TCO).
Новый подход к хранению с использованием фирменной технологии Key Value SSD для твердотельных жестких дисков
Samsung также представила совершенно новую технологию под названием Key Value SSD. Это инновационный метод обработки сложных наборов данных. При резком увеличении использования социальных медиа-сервисов и приложений интернета вещей, которые способствуют генерации данных от различных объектов, в частности, текстовых, графических, аудио- и видеофайлов, сложность обработки этих данных существенно возрастает.
Сегодня твердотельные жесткие диски преобразуют данные объекта, которые могут иметь один из значительного разнообразия размеров, во фрагменты данных определенного размера – блоки. Для использования этих блоков требуются процессы реализации, состоящие из этапов LBA (логической блокировки блоков) и PBA (физической блокировки блоков).
Однако новая технология твердотельных жестких дисков Samsung Key Value SSD позволяет накопителям обрабатывать данные, не превращая их в блоки. Вместо этого определяется ключ или конкретное местоположение – для каждого значения либо части данных объекта независимо от его размера. Ключ позволяет напрямую определять адрес данных, что, в свою очередь, даёт возможность масштабировать хранилище.
Технология Key Value от Samsung дает возможность масштабировать твердотельные жесткие диски вертикально и горизонтально по производительности и емкости. В результате, когда данные считываются или записываются, твердотельный жесткий диск с ключевым значением может уменьшить количество избыточных шагов, что приводит к более быстрому вводу и выводу данных, а также к увеличению совокупной стоимости владения и значительному продлению срока службы твердотельного жесткого диска.
