Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства первого в отрасли встроенного флэш-накопителя стандарта eUFS 2.1 объемом 1 ТБ для использования в мобильных решениях следующего поколения. Всего через четыре года после разработки первой модели стандарта UFS, накопителя eUFS емкостью 128 гигабайт (ГБ), Samsung преодолела долгожданный порог в 1 ТБ в создании накопителей для смартфонов. Фанаты высокопроизводительных устройств вскоре смогут воспользоваться смартфонами с хранилищами, ёмкость которых сопоставима с ноутбуком премиум-класса, без необходимости устанавливать дополнительные карты памяти.
«Ожидается, что eUFS емкостью 1 ТБ сыграет решающую роль в обеспечении более приближенного к ноутбукам опыта использования в мобильных устройствах следующего поколения, - сказал Чол Чой, исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу памяти компании Samsung Electronics. - Кроме того, Samsung стремится обеспечить максимально надежную цепочку поставок и адекватные объемы производства для поддержки своевременного выпуска новых флагманских смартфонов для ускорения роста глобального рынка мобильных устройств».
При сохранении размера пакета (11,5 x 13,0 мм) решение eUFS емкостью 1 ТБ обладает вдвое большей ёмкостью в сравнении с предыдущей версией накопителя (её ёмкость составляет 512 ГБ). В новом eUFS в стеке самой современной 5-гигабитной (Гб) V-NAND флэш-памяти Samsung объединены 16 слоев и недавно разработанный фирменный контроллер.
Теперь пользователи смартфонов смогут хранить на носителе 260 10-минутных видео в формате 4K UHD (3840 × 2160 точек), в то время как eUFS-память объемом 64 ГБ, широко используемая во многих современных смартфонах высокого класса, позволяла хранить лишь 13 видео того же размера.
Накопитель eUFS емкостью 1 ТБ также обладает исключительно высокой скоростью работы. Это дает пользователям возможность передавать большие объемы мультимедийного контента за минимальное время.
Накопитель поддерживает передачу данных на скорости до 1000 мегабайт в секунду (МБ/с). Таким образом, новое eUFS-решение обеспечивает примерно вдвое большую скорость чтения по сравнению с обычным 2,5-дюймовым твердотельным накопителем SATA (SSD). Это означает, что видео в формате Full HD размером 5 ГБ можно скопировать на твердотельный накопитель NVMe всего за пять секунд, что в 10 раз превышает скорость работы обычной карты microSD.
Кроме того, скорость случайного чтения в eUFS увеличилась на 38% по сравнению с версией ёмкостью 512 ГБ и достигла 58 000 IOPS (операций ввода/вывода в секунду). Произвольная запись выполняется в 500 раз быстрее, чем с применением высокопроизводительной карты microSD (она поддерживает лишь 100 IOPS), и может достигать 50 000 IOPS. Такие высокие показатели работы позволяют осуществлять высокоскоростную непрерывную съемку со скоростью 960 кадров в секунду и дарят пользователям смартфонов свободу в полной мере использовать возможности съемки на камеры с несколькими модулями, которые будут доступны в современных и разрабатываемых флагманских моделях смартфонов.
Samsung планирует расширить производство V-NAND пятого поколения объемом 512 гигабит на своем заводе в Пхёнтэке (Южная Корея) в течение первой половины 2019 года. Это позволит компании полностью удовлетворить ожидаемый высокий спрос на носители eUFS емкостью 1 ТБ со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.
