Скидка 3% при онлайн оплате
Корзина
Профиль
Избранное
Корзина
  • Главная
  • Новости
  • Samsung представил мобильную память DRAM максимальной емкости для следующего поколения смартфонов
Samsung представил мобильную память DRAM максимальной емкости для следующего поколения смартфонов
17 марта 2019

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства модулей памяти DRAM для мобильных устройств. Новые модули обладают рекордной емкостью – это первые в отрасли 12-гигабайтные (ГБ) пакеты 4X (LPDDR4X) с низким энергопотреблением, оптимизированные для премиальных смартфонов будущего. Обладая большей емкостью, чем оперативная память большинства ультратонких ноутбуков, новые модули DRAM для мобильных устройств дают пользователям смартфонов возможность в полной мере использовать все функции устройств следующего поколения.


«Со стартом массового производства новой LPDDR4X компания Samsung теперь предлагает обширную линейку усовершенствованной памяти для новой эры смартфонов: от 12 ГБ для мобильных модулей DRAM до 512 ГБ для хранилищ eUFS 3.0, - сказал Сьюон Чун, исполнительный вице-президент по маркетингу памяти в Samsung Electronics. - Кроме того, с LPDDR4X мы укрепляем свои позиции в качестве производителя мобильных устройств премиум-класса с наилучшими возможностями для удовлетворения быстро растущего спроса со стороны мировых производителей смартфонов».

Благодаря модулям мобильной памяти DRAM емкостью 12 ГБ производители смартфонов могут максимально использовать потенциал устройств с более чем пятью камерами и постоянно увеличивающимися размерами дисплея, а также с поддержкой искусственного интеллекта и возможностей 5G. Для пользователей смартфонов DRAM емкостью 12 ГБ обеспечивает более плавную многозадачность и быстрый поиск при навигации по множеству приложений на сверхбольших экранах с высоким разрешением. Кроме того, толщина модуля в 1,1 мм позволяет сделать дизайн смартфона еще более изящным.

Емкость 12 ГБ была достигнута путем объединения в одном пакете шести 16-гигабитных (Гб) чипов LPDDR4X на основе 10-нм техпроцесса (его обозначают 1y-нм) второго поколения. Сокращение объема модуля памяти обеспечивает больше места для аккумулятора смартфона.

Кроме того, благодаря использованию 1у-нм технологии компании новая мобильная память объемом 12 ГБ поддерживает скорость передачи данных 34,1 ГБ в секунду. А рост энергопотребления, который неизбежен при увеличении емкости DRAM, минимален.

С тех пор, как в 2011 году были представлены первые модули DRAM емкостью 1 ГБ для мобильных устройств, Samsung продолжает совершать прорывы на рынке мобильных модулей. В 2015 году компания представила первый модуль емкостью 6 ГБ, год спустя – первый 8-гигабайтный модуль. На достижение нового уровня ёмкости LPDDR4X, 12 ГБ, у компании ушло чуть более двух лет. Благодаря мощностям своей передовой линии производства памяти в южнокорейском Пхёнтхэке Samsung планирует более чем в три раза увеличить поставки мобильной DRAM ёмкостью 8 ГБ и 12 ГБ на основе 1у-нм техпроцесса в течение второй половины 2019 года, чтобы удовлетворить ожидаемый высокий спрос.

Подпишитесь и будьте в курсе
Подписывайтесь на уведомления прямо сейчас!
Москва и область
Преимущества
Вернуться в меню
Блог
Вернуться в меню
Программа привилегий
Вернуться в меню
Вакансии
Вернуться в меню