Samsung оснастит мобильные устройства 4 ГБ RAM
Компания Samsung Electronics официально заявила о разработке первой в индустрии мобильных чипов памяти LPDDR4 с емкостью 8 Гбит. Один подобный чип обеспечивает 1 ГБ оперативной памяти, а модуль из четырех микросхем обеспечит смартфоны и планшеты 4 ГБ RAM.
Стандарт Low Power Double Data Rate 4 (LPDDR4) по сравнению с LPDDR3 обеспечивает увеличение скорости передачи данных и снижение энергопотребления.
Передовая разработка Samsung создается по "технологии 20-нанометрового класса" и использует LVSTL-шину, являющуюся стандартом для подобной RAM. Благодаря этому интерфейсу пропускная способность достигает 3,1 Гбит/с. В целом, скорость передачи информации увеличилась на 50% по сравнению с LPDDR3, а энергопотребление уменьшилось на 40% по сравнению с существующими мобильными решениями.
Пониженное энергопотребление положительно отразится на времени автономной работы гаджетов, а увеличенная пропускная способность — на общем быстродействии.
Массовое производство 8-гигабитной памяти LPDDR4, предназначенной для смартфонов оснащенных дисплеем ультравысокого разрешения (2К), планшетных компьютеров и ноутбуков, начнется в следующем году.
