Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о начале массового производства чипов памяти V-NAND пятого поколения с самой высокой скоростью передачи данных. Впервые в отрасли компания использовала интерфейс Toggle DDR 4.0, за счет чего скорость передачи данных между хранилищем и памятью через новый 256-гигабайтный (Gb) чип V-NAND от Samsung достигла 1,4 гигабит в секунду (Gbps). Это на 40% выше в сравнении с показателями 64-слойного предшественника нового чипа.
Энергоэффективность нового V-NAND-чипа Samsung сопоставима с энергоэффективностью 64-слойного чипа главным образом потому, что рабочее напряжение было уменьшено с 1,8 В до 1,2 В. Новый чип V-NAND также имеет самую высокую скорость записи данных на сегодняшний день – на уровне 500 микросекунд (мкс). Это примерно 30% улучшение по сравнению с скоростью записи у чипов предыдущего поколения. При этом время отклика на сигналы считывания значительно уменьшено – до 50 мкс.
Память Samsung V-NAND пятого поколения включает более 90 слоев «трехмерных заряженных ловушек (CTF)» - рекордный показатель для отрасли. Ловушки уложены в пирамидальные структуры в микроскопических канальных отверстиях, сделанными в вертикальном направлении. Эти канальные отверстия диаметром всего лишь в несколько сотен нанометров (нм) содержат более 85 миллиардов ячеек CTF, каждая из которых может хранить три бита данных. Современная технология производства памяти является результатом нескольких прорывов – это и модернизированные схемы, и новые технологические процессы.
Благодаря усовершенствованию процесса осаждения атомного слоя V-NAND производительность выпуска продукции также увеличилась более чем на 30%. Передовая технология позволяет снизить высоту каждого слоя ячейки на 20%, предотвращает перекрестные помехи между ячейками и повышает эффективность обработки данных чипом.
«Продукты и решения Samsung V-NAND пятого поколения предоставят наиболее передовые NAND на быстрорастущем рынке премиум-памяти, - сказал Кай Хьюн Кьюн, исполнительный вице-президент подразделения флеш-продуктов и технологий Samsung Electronics. - В дополнение к передовым достижениям, которые мы анонсировали сегодня, мы готовимся к внедрению 1-терабитных (Тб) и четырехуровневых ячеек (QLC) в нашей линейке V-NAND, которая будет продолжать набирать обороты для следующего поколения NAND на мировом рынке».
Samsung будет быстро наращивать производство модулей памяти V-NAND нового поколения, чтобы удовлетворить широкий спектр потребностей рынка. Компания продолжает удерживать лидерство в сфере производства памяти с высокой плотностью хранения данных для критически важных задач – производства суперкомпьютеров, корпоративных серверов и новейших мобильных решений, в частности, премиальных смартфонов.
