7 марта 2019 г.

Samsung Electronics вдвое увеличил скорость хранилищ смартфонов с запуском массового производства накопителей eUFS 3.0 на 512 ГБ

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области передовых технологий памяти, объявила о старте массового производства первых в отрасли модулей встроенной универсальной флэш-памяти формата eUFS 3.0 емкостью 512 гигабайт (ГБ) для мобильных устройств следующего поколения. В соответствии с новейшей спецификацией eUFS 3.0, модули Samsung обеспечивает вдвое большую скорость доступа к данным по сравнению с предыдущей версией eUFS (eUFS 2.1). Это гарантирует бесперебойную работу модулей памяти в смартфонах нового поколения со сверхкрупными экранами высокого разрешения.


Созданные на базе флеш-памяти Samsung V-NAND пятого поколения, новые модули соответствуют передовым отраслевым спецификациям. Скорость работы универсальных флэш-накопителей eUFS 3.0 в 20 раз превышает скорость стандартной карты microSD. Чтобы ещё сильнее повысить производительность передовых смартфонов, Samsung планирует выпустить версию eUFS 3.0 емкостью 1 ТБ в течение второй половины 2019 года.

Чол Чой, исполнительный вице-президент подразделения продаж и маркетинга памяти компании Samsung Electronics, заявил: «Начало массового производства нашей линейки eUFS 3.0 дает нам огромное преимущество на рынке мобильных устройств следующего поколения, которому мы обеспечим ту скорость чтения памяти, которая раньше была доступна только на ультратонких ноутбуках. По мере того, как мы будем расширять наше предложения eUFS 3.0, включая выпуск версии объемом 1 терабайт (ТБ) в конце этого года, мы ожидаем, что продолжим играть важную роль в ускорении темпов развития на рынке мобильных телефонов премиум-класса».

Samsung выпустил первый в отрасли UFS-модуль памяти стандарта eUFS 2.0 в январе 2015 года. Он оказался в 1,4 раза быстрее, чем широко применяемые мобильные модули стандарта eMMC 5.1. Всего за четыре года новейшая версия eUFS 3.0 компании стала соответствовать производительности накопителей современных сверхтонких ноутбуков.

Модуль памяти Samsung eUFS 3.0 емкостью 512 ГБ включает стек из 512-гигабитных (Гб) флеш-элементов V-NAND пятого поколения и высокопроизводительный контроллер. Новый eUFS со скоростью доступа до 2100 мегабайт в секунду (МБ/с) работает вдвое быстрее при последовательном чтении, чем предыдущее поколение eUFS от Samsung (eUFS 2.1), представленной в январе.

Кроме того, скорость чтения eUFS 3.0 в четыре раза выше, чем у твердотельного накопителя SATA (SSD), и в 20 раз выше, чем у обычной карты microSD. Это позволяет смартфонам премиум-класса передавать фильмы в Full HD-разрешении на ПК примерно за три секунды. Скорость последовательной записи также повысилась: на 50%, или до 410 МБ/с, что эквивалентно скорости последовательной записи SATA SSD.

Скорость произвольного чтения и записи новой памяти на 36% выше по сравнению с текущей актуальной для отрасли спецификацией eUFS 2.1 и составляет 63 тыс. и 68 тыс. операций ввода-вывода в секунду (IOPS) соответственно. Благодаря значительному увеличению числа операций произвольного чтения и записи модули памяти стали в 630 раз быстрее обычных карт microSD (они поддерживают до 100 операций ввода-вывода в секунду). Таким образом, с модулями eUFS 3.0 можно одновременно запускать несколько сложных приложений. Параллельно новое решение обеспечивает улучшенную скорость отклика, что особенно заметно на мобильных устройствах нового поколения.

Вслед за eUFS 3.0 на 512 ГБ, а также версии на 128 ГБ, которые будут доступны уже в этом месяце, Samsung планирует выпустить модели объемом 1 ТБ и 256 ГБ во второй половине 2019 года. Это поможет мировым лидерам производства мобильных решений создавать более производительные модели устройств.

Также вам будет интересно