Компания Samsung Electronics, мировой лидер в сфере передовых полупроводниковых технологий, заявила, что масштабы производства микросхем на базе 10-нм техпроцесса FinFET стабильно повышаются, чтобы удовлетворить потребности клиентов в рамках графика.
Компания начала массовое производство 10-нм компонентов типа LPE (Low Power Early – низкоэнергетических ранних образцов) первого поколения в октябре 2016 года. На сегодняшний день Samsung осуществила поставки более 70 тысяч кремниевых пластин такого типа.
Ранее, в 2015 году, Samsung первой в индустрии представила 14-нм процессорную технологию FinFET LPE для мобильных устройств, построенную на основе трехмерной FinFET-структуры. С тех пор компания успешно расширила производственные мощности, производительность и возможности масштабирования как для 14-нм, так и для 10-нм техпроцесса FinFET.
«10-нм LPE-технология Samsung меняет правила игры для литографической индустрии. Вслед за версией 10LPE [версии] 10-нм LPP и LPU поступят в массовое производство до конца этого года и в следующем году соответственно, - отметил Йонгшик Юн, исполнительный вице-президент и глава литографического подразделения Samsung Electronics. – Мы продолжим предлагать наиболее конкурентоспособные процессорные технологии в индустрии».
Samsung Electronics также объявила о добавлении 8-нм и 6-нм процессорных технологий в свою дорожную карту. Новые предложения Samsung обеспечат более весомые преимущества масштабирования, производительности и мощности в сравнении с существующими технологиями создания процессорных ядер. Техпроцессы 8-нм и 6-нм унаследуют все инновации новейших 10-нм и 7-нм технологий, включая улучшения инфраструктуры разработки, для удовлетворения различных потребностей клиентов и обеспечения дополнительной конкурентоспособности в плане затрат.
План развития процессорных технологий Samsung и технические детали, включая информацию о новых 8-нм и 6-нм техпроцессах, впервые представят партнерам и покупателям на предстоящем форуме U.S Samsung Foundry Forum, запланированном на 24 мая 2017 года.
