Скидка 3% при онлайн оплате
Корзина
Профиль
Избранное
Корзина
  • Главная
  • Новости
  • Samsung впервые в индустрии запустила массовое производство оперативной памяти DRAM по 10-нанометровой технологии
Samsung впервые в индустрии запустила массовое производство оперативной памяти DRAM по 10-нанометровой технологии
10 апреля 2016
Компания Samsung Electronics, мировой лидер в сфере передовых технологий создания памяти, анонсировала старт массового производства оперативной памяти, построенной на основе 10-нанометрового техпроцесса. Южнокорейский гигант сделал это первым в индустрии и представил 8-гигабитные чипы и модули DDR4 DRAM.

Будущее уже здесь

Вскоре после появления на рынке память DDR4 стала наиболее массово производимым в мире форматом для персональных компьютеров и IT-сетей. Последние достижения компании Samsung помогут отрасли осуществить переход на передовой стандарт памяти.
Samsung открыла дверь в мир DDR4 класса 10 нм после решения всех технических проблем с масштабированием DRAM. 
Это было достигнуто, в первую очередь, за счет использования технологии иммерсионной литографии с применением фторида аргона, для реализации которой не требуется экстремального ультафиолетового оборудования. 

Создание памяти DDR4 DRAM класса 10 нм стало важной вехой для компании. В Samsung это событие сравнивают со стартом массового производства модулей памяти DDR3 DRAM объемом 4 ГБ в 2014 году – в этом южнокорейский бренд также был первым. Отметим, что класс 10 нм предполагает ядро технологического процесса в интервале 10-19 нм, тогда как класс 20 нм – в интервале 20-29 нм.

«Память DRAM класса 10 нм позволит достичь высочайшего уровня инвестиционной эффективности в IT-системах и, таким образом, станет новым локомотивом в мировой индустрии памяти, - утверждает Йонг-Хюн Джун, президент подразделения памяти Samsung Electronics. – В ближайшем будущем мы также запустим новое поколение продуктов для мобильных устройств – DRAM класса 10 нм, отличающуюся высокой плотностью, чтобы помочь мобильным производителям разрабатывать наиболее инновационные продукты, которые добавят удобства пользователям мобильных устройств». 

Весомые преимущества

Передовые модули Samsung DDR4 DRAM класса 10 нм емкостью 8 ГБ на 30% производительнее аналогичных модулей, изготовленных на основе 20-нм техпроцесса. 

Новая память поддерживает передачу данных на уровне 3200 Мбит в секунду, и это более чем на 30% быстрее скорости 2400 Мбит в секунду, которой обладают 20-нм модули DDR4 DRAM. Кроме того, новые модули, изготовленные на основе 10-нм техпроцесса, потребляют на 10-20% меньше энергии в сравнении с 20-нм аналогами, что позволяет разрабатывать высокопроизводительные вычислительные системы нового поколения и другие крупные корпоративные сети. Новые модули памяти можно использовать и в персональных компьютерах и серверных системах.

Передовые технологии

Первые в мире DRAM-модули класса 10 нм – результат применения передовых разработок в области памяти и производственной технологической интеграции. Для достижения максимально высокого уровня масштабируемости DRAM компания Samsung усовершенствовала технологию и теперь находится на шаг дальше, чем при производстве DRAM класса 20 нм. Основные технологические разработки включают улучшение фирменной технологии конструкции ячеек, QPT-литографии (четверной технология формирования рисунка) и осаждения ультра-тонкого слоя диэлектрического материала. 

Четверная (QPT) литография – способ формирования рисунка, который используется в производстве высококлассных интегральных микросхем, особенно в процессе фотолитографии. Существует много различных способов реализации технологии множественного паттерна, но общая цель состоит в том, чтобы повысить его разрешение и увеличить плотность нанесения рисунка в сравнении с обычной литографией.

Диэлектрические материалы характеризуются очень низкой электрической проводимостью, в которой электрическое поле может поддерживаться с минимальными потерями. В производстве полупроводников диэлектрические материалы используются во множестве этапов. Основными направлениями применения диэлектрических материалов в производстве компанией Samsung модулей памяти DRAM класса 10 км стала теплоизоляция конденсаторов и предотвращение утечек электроэнергии. Это привело к существенному увеличению емкости и высокой производительности ячеек памяти.

Особые ячейки

В отличие от флеш-памяти NAND, в которой каждая отдельная ячейка состоит из единственного транзистора, ячейка DRAM включает конденсатор и транзистор, соединенные вместе, причем чаще всего конденсатор располагается сверху, а транзистор занимает всё остальное пространство. В случае с новой памятью DRAM класса 10 нм добавляется ещё один уровень сложности, так как в ней стек должен включать очень узкие цилиндрические конденсаторы, которые хранят достаточно высокие заряды. Наверху же располагается несколько десятков транзисторов нанометровой ширины, и в результате создается более восьми миллионов ячеек.

Компания Samsung успешно создала новую структуру ячеек класса 10 нм за счет использования фирменной технологии проектирования и литографии четверными паттернами. Благодаря возможности применения существующего литографического оборудования в будущем Samsung также построила основную технологическую базу для создания следующего поколения памяти класса 10 нм(1y). 

Кроме того, инженеры Samsung переработали технологию осаждения слоя диэлектрика, что также положительно отразилось на производительности новой памяти DRAM класса 10 нм. Сверхтонкие слои диэлектрика нанесены с беспрецедентной равномерностью толщиной около 1 ангстрема (одной миллиардной части метра) на конденсаторы ячеек памяти, в результате емкость модуля увеличилась и было обеспечено повышение производительности. 

Скоро и для мобильных устройств

Основываясь на достижениях, полученных в процессе создания модулей памяти DDR4 DRAM класса 10 нм, Samsung планирует представить аналогичные модули более высокой плотности, предназначенные для мобильных устройств, уже в этом году. Это стабилизирует лидирующие позиции компании на рынке смартфонов премиум-класса.

Samsung представляет линейку 10-нм модулей памяти DDR4 емкостью от 4 ГБ для ноутбуков до 128 ГБ для корпоративных серверов Samsung. Параллельно компания будет расширять ассортимент 20-нм модулей памяти.
Подпишитесь и будьте в курсе
Подписывайтесь на уведомления прямо сейчас!
Москва и область
Преимущества
Вернуться в меню
Блог
Вернуться в меню
Программа привилегий
Вернуться в меню
Вакансии
Вернуться в меню