Samsung представила лучшие в отрасли технологии флеш-памяти для обеспечения растущих потребностей систем хранения данных
15 августа 2016
Компания Samsung, мировой лидер в области передовых технологий памяти, представила проект инновационного решения – флеш-памяти следующего поколения, которая сможет удовлетворить растущие потребности сетей больших данных, облачных вычислений и аналитики в режиме реального времени. На саммите Flash Memory Summit 2016, который прошел в конференц-центре Санта-Клары, штат Калифорния, Samsung показала четвертое поколение вертикальной NAND-памяти (V-NAND) и линейку высокопроизводительных твердотельных жестких дисков большой емкости, доступных для корпоративных клиентов, а также Z-SSD, новое решение, которое обеспечивает сенсационную производительность для хранилищ данных на основе флеш-технологий.
Flash Memory Summit – мероприятие, которое организуется Conference ConCepts. На саммите представляют новейшие приложения и ключевые технологии, собираются и ведущие поставщики, которые являются движущей многомиллионный индустрии энергонезависимой памяти и твердотельных жестких дисков. FMS сейчас считается крупнейшим мероприятием мира в своей области, определяет тенденции, инновации и авторитетов рынка флеш-памяти для требовательных приложений для хранения данных корпоративного уровня, а также смартфонов, планшетов, мобильных и встраиваемых систем.
Ожидается, что новые компоненты для хранилищ данных на основе флеш-памяти, разработанные Samsung, внесут значительный вклад в развитие мировой IT-индустрии и удовлетворят растущие потребности в хранилищах данных, которые диктует современная корпоративная среда вычислений. Эти решения будут вмещать огромные объемы данных и обеспечивать обработку информации на экстремальной скорости, параллельно повышая стоимость владения для центров обработки данных.
«С нашей технологией V-NAND четвертого поколения мы можем обеспечить различную стоимость для передовых продуктов большего объема, более высокой производительности и более компактных размеров, что в совокупности будет способствовать достижению нашими клиентами лучших результатов совокупной стоимости владения, - отмечает Йонг-Уюн Джун, президент подразделения памяти компании Samsung Electronics. – Мы продолжим представлять более продвинутые решения V-NAND и расширять наши бизнес-инициативы по производству флеш-памяти, максимизируя непревзойденное сочетание производительности и стоимости».
Чипы Samsung V-NAND четвертого поколения включают на 30% больше слоев массивов ячеек в сравнении с их предшественниками
Samsung представляет четвертое поколение 64-слойных модулей флеш-памяти V-NAND с трехуровневыми ячейками, которое расширяет границы масштабируемости, производительности и емкости хранения данных NAND. За счет укладки 64 слоев массивов ячеек памяти новая V-NAND может увеличить экструзионную плотность до 512 ГБ, что является лучшим значением в отрасли, а её скорость ввода-вывода достигает 800 МБ/с. Это ещё сильнее подчеркивает лидерство первых в отрасли чипов V-NAND, в которых реализованы 24-, 32- и 48-слойные технологии вертикальной укладки массивов ячеек памяти.
Samsung планирует представить первые в мире продукты V-NAND четвертого поколения в четвертом квартале 2016 года. Это поможет производителям разрабатывать более быстрые, стильные и портативные вычислительные устройства, которые обеспечат покупателям создание более отзывчивой вычислительной среды.
Диск максимальной емкости в мире – твердотельный SAS на 32 ТБ – для корпоративных систем хранения данных
Новейший твердотельный жесткий диск Samsung типа Serial Attached SCSI (SAS) – самый большой в мире отдельный винчестер, который когда-либо был представлен. Он базируется на 512-гигабитных чипах V-NAND, которые уложены в 16 слоев для создания терабайтного модуля. Соответственно, 32-терабатный жесткий диск включает 32 таких модуля.
Используя новый дизайн чипов V-NAND четвертого поколения, твердотельные жесткие диски SAS емкостью 32 ТБ могут уменьшить требования к пространству для размещения более чем в 40 раз в сравнении с другими системами такого же типа, которые используют две стойки традиционных винчестеров (HDD). Эти твердотельные жесткие диски SAS емкостью 32 ТБ создаются в 2,5-дюймовом форм-факторе, их поставки начнутся в 2017 году. Samsung также ожидает, что твердотельные жесткие диски объемом более 100 ТБ будут доступны уже в 2020 году благодаря усовершенствованию технологии V-NAND.
Терабайт памяти в одном BGA-корпусе
Твердотельные жесткие диски емкостью 1 ТБ в корпусах BGA (тип корпуса поверхностно монтируемых микросхем, дословно название Ball Grid Array переводится как массив шариков) включают все основные компоненты, в частности, флеш-чипы с трехуровневыми ячейками V-NAND, мобильные модули LPDDR4 DRAM и новейший контроллер Samsung. Они обеспечат беспрецедентную производительность, скорость последовательного чтения на уровне 1500 МБ/с и скорость последовательной записи до 900 МБ/с. Размер твердотельных жестких дисков уменьшился на 50% в сравнении с предшественниками, при этом весит каждый компонент памяти около грамма. Это делает твердотельные жесткие диски Samsung идеальным выбором для создания ноутбуков, планшетов и других устройств нового поколения.
В следующем году Samsung планирует выпустить терабайтный твердотельный жесткий диск в BGA-корпусе, применив технологию упаковки, которая называется FO-PLP (Fan-out Panel Level Packaging – уровневая упаковка панелей с расхождением в разные стороны). Эту технологию компания Samsung Electronics разработала совместно с электромеханическим подразделением корпорации Samsung.
Новые Z- SSD разрушают границы производительности существующих хранилищ на основе флеш-памяти NAND
Samsung также разработала высокопроизводительные твердотельные жесткие диски с ультранизким временем ожидания - Z-SSD. Они построены на базе фундаментальных структур V-NAND и обладают уникальным дизайном схем, а также включают контроллеры, которые способны увеличить производительность. Время ожидания Z-SSD в четыре раза ниже, а скорость последовательного чтения – в 1,6 раз выше, чем у твердотельных жестких дисков Samsung PM963 NVMe. Напомним, NVM Express (Non-Volatile Memory Express, NVMe) – оптимизированный, высокопроизводительный, масштабируемый интерфейс хост-контроллера с модернизированным регистровым интерфейсом и набором команд, разработанных для корпоративных и клиентских систем, которые используют твердотельные жесткие диски PCIe.
Z-SSD предназначены для систем, которые взаимодействуют с аналитикой экстремальной интенсивности в режиме реального времени. Они также могут применяться для расширения производительности систем для всех типов нагрузок. Ожидается, что эти твердотельные жесткие диски будут представлены в следующем году.
Свежие новости
Нам исполнилось 12 лет!
18 апреля
